民國99年 第3梯次 視聽電子甲級 學科
第14題
鍺晶體之電流增益受溫度影響較矽晶體為
題目
鍺晶體之電流增益受溫度影響較矽晶體為
- (1) 大
- (2) 小
- (3) 一樣
- (4) 無從比較
官方答案
(1) 大
解析
鍺(Ge)能隙約0.66eV，小於矽(Si)的1.12eV。能隙越小，熱激發越容易使載子濃度改變，故鍺的電流增益β與漏電流I_CBO隨溫度上升的增加幅度較矽明顯，溫度穩定性較差。這也是實務上矽晶體因耐溫與穩定性佳而取代鍺的主要原因。因此鍺晶體電流增益受溫度影響較矽晶體為大，選1。
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