民國103年 第3梯次 視聽電子甲級 學科
第32題
鍺晶體之電流增益受溫度影響較矽晶體為
題目
鍺晶體之電流增益受溫度影響較矽晶體為
- (1) 大
- (2) 無從比較
- (3) 一樣
- (4) 小
官方答案
(1) 大
解析
鍺的禁帶寬度約 0.67 eV，較矽的 1.12 eV 小，室溫下本質載子濃度較高，且載子濃度隨溫度上升的速度更快。溫度升高時，少數載子電流（如 ICO）與電流增益 hFE 的變化在鍺晶體上比矽晶體明顯，因此鍺晶體的電流增益受溫度影響較大，熱穩定性較差，這也是矽晶體廣為使用的原因之一。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。