民國110年 第3梯次 視聽電子甲級 學科
第8題
鍺晶體之電流增益受溫度影響較矽晶體為
題目
鍺晶體之電流增益受溫度影響較矽晶體為
- (1) 一樣
- (2) 無從比較
- (3) 大
- (4) 小
官方答案
(3) 大
解析
電晶體集極截止電流I_CBO隨溫度上升而急劇增加，造成電流增益受溫度影響。鍺(Ge)材料能隙約0.66eV，矽(Si)約1.1eV；鍺漏電流遠大於矽，且溫度穩定性較差。因此鍺晶體電流增益受溫度影響程度比矽晶體「大」，故選項3正確。選項4(小)、選項1(一樣)均與材料特性不符；選項2無從比較亦不正確。實務上矽元件因溫度特性較佳，廣泛用於積體電路與精密電路。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。