民國110年 第3梯次 視聽電子甲級 學科
第80題
有關半導體之敘述,下列何者錯誤?
題目
有關半導體之敘述,下列何者錯誤?
- (1) 外質半導體帶正電、本質半導體為電中性
- (2) 矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓(V BR)較鍺(Ge)質半導體為高
- (3) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電
- (4) P 型半導體是本質半導體摻雜5 價元素所形成
官方答案
(1) 外質半導體帶正電、本質半導體為電中性、(3) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電、(4) P 型半導體是本質半導體摻雜5 價元素所形成
解析
本質半導體與外質半導體整體都維持電中性；P 型雖電洞較多、N 型雖電子較多，但固定離子電荷與載子電荷會互相抵銷，不會使半導體帶正電或負電，故 1、3 錯誤。P 型是本質半導體摻入三價受體雜質所形成，摻五價雜質則形成 N 型，故 4 錯誤。矽的逆向崩潰電壓一般高於鍺，2 正確。因此錯誤者為 1、3、4。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。