民國104年 第3梯次 視聽電子丙級 學科
第12題
測量電晶體之順向偏壓 若超過0 . 8 V 則電晶體
題目
測量電晶體之順向偏壓 若超過0 . 8 V 則電晶體
- (1) 工作於放大區
- (2) 工作於截止區
- (3) 已破壞
- (4) 工作於飽和區
官方答案
(3) 已破壞
解析
一般矽（Si）電晶體基極-射極接面順偏時，其順向偏壓VBE約為0.6～0.7V；鍺（Ge）電晶體約0.2～0.3V。若以三用電表二極體檔測量，發現順向偏壓超過0.8V，已明顯偏離正常矽電晶體特性值，表示接面受損或內部結構破壞，故判斷電晶體已損壞。選項1放大區時VBE約0.7V且IC隨IB線性變化；選項2截止區時VBE近0V；選項4飽和區時VBE略高但仍約0.7～0.8V，不會超過0.8V過多。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。