民國114年 第3梯次 視聽電子丙級 學科
第64題
測量電晶體之順向偏壓VBE 若超過0.8V,則電晶體
題目
測量電晶體之順向偏壓VBE 若超過0.8V,則電晶體
- (1) 已破壞
- (2) 工作於飽和區
- (3) 工作於截止區
- (4) 工作於放大區
官方答案
(1) 已破壞
解析
矽質電晶體在正常放大工作時，基射極順向偏壓 VBE 約為 0.6～0.7V；若實測超過 0.8V，通常代表基射接面已因過電流、過電壓或過熱而劣化或崩潰，元件失去正常的放大與開關特性，須更換。實務上即以 VBE 異常偏高、配合 IC 或 VCE 異常來判定晶體損壞。這與工作區域的判定不同：截止區是 VBE 低於導通電壓，並非偏高。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。