民國96年 第3梯次 工業儀器乙級 學科
第17題
欲使電晶體之集極電流( I c ) 達到飽和狀態,則其所需之基射極間飽和偏壓( V b e s ) 為
題目
欲使電晶體之集極電流( I c ) 達到飽和狀態,則其所需之基射極間飽和偏壓( V b e s ) 為
- (1) 鍺電晶體>矽電晶體
- (2) 矽電晶體>鍺電晶體
- (3) 二者相同
- (4) 不一定
官方答案
(2) 矽電晶體>鍺電晶體
解析
矽電晶體的能隙較大(約1.12eV)，導致其基射極導通電壓V_BE約為0.6~0.7V；鍺電晶體能隙較小(約0.67eV)，V_BE僅約0.2~0.3V。要使電晶體進入飽和區，必須施加足夠的基射極正偏壓使基射結正向導通，故矽電晶體所需的飽和偏壓V_BEs明顯大於鍺電晶體。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。