民國103年 第3梯次 工業儀器乙級 學科
第6題
欲使電晶體之集極電流( I c ) 達到飽和狀態,則其所需之基射極間飽和偏壓( V b e s ) 為
題目
欲使電晶體之集極電流( I c ) 達到飽和狀態,則其所需之基射極間飽和偏壓( V b e s ) 為
- (1) 鍺電晶體>矽電晶體
- (2) 二者相同
- (3) 矽電晶體>鍺電晶體
- (4) 不一定
官方答案
(3) 矽電晶體>鍺電晶體
解析
電晶體進入飽和區時，基射極必須加上足夠的順向偏壓 Vbes。矽(Si)電晶體的接面位障約 0.7 V，鍺(Ge)電晶體約 0.3 V，因此要使 Ic 達到飽和，矽電晶體所需的 Vbes(約 0.7 V)大於鍺電晶體(約 0.3 V)。選項 1 說鍺大於矽與事實相反；選項 2 二者相同不正確；選項 4 不一定亦不對，因材料特性固定。本題關鍵在認識兩種半導體材料的接面電壓差異，故矽電晶體所需飽和偏壓較高，答案為 3。
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