民國105年 第3梯次 工業儀器乙級 學科
第14題
欲使電晶體之集極電流( I c ) 達到飽和狀態,則其所需之基射極間飽和偏壓( V B E - S ) 為
題目
欲使電晶體之集極電流( I c ) 達到飽和狀態,則其所需之基射極間飽和偏壓( V B E - S ) 為
- (1) 不一定
- (2) 鍺電晶體>矽電晶體
- (3) 矽電晶體>鍺電晶體
- (4) 二者相同
官方答案
(3) 矽電晶體>鍺電晶體
解析
矽電晶體能隙較大，導通電壓約0.6~0.7V；鍺電晶體能隙較小，導通電壓約0.2~0.3V。要使電晶體進入飽和區，基極需提供足夠偏壓驅動集極電流，矽電晶體所需的基射極飽和偏壓明顯高於鍺電晶體。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。