民國95年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第1題
設某一電晶體在室溫下之I 為50 n A ,則當溫度升高10 °C後,其I 之值變成下列何者?
題目
設某一電晶體在室溫下之I 為50 n A ,則當溫度升高10 °C後,其I 之值變成下列何者?
- (1) 50 n A
- (2) 100 n A
- (3) 150 n A
- (4) 200 n A
官方答案
(2) 100 n A
解析
電晶體的逆向飽和電流（如 I_CBO、I_CO）主要由少數載子形成，而少數載子濃度對溫度極為敏感。經驗法則指出，溫度每升高 10°C，逆向飽和電流約增大為原來的兩倍。原值 50 nA，升溫 10°C 後約為 50×2＝100 nA。矽晶體此電流雖小，但高溫下急速增大仍會造成漏電與工作點漂移，是電路熱穩定必須考慮的因素。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。