民國101年 第3梯次 儀表電子甲級 學科

第50題

在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽電晶體的 變化約為下列何者?

題目

在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽電晶體的 變化約為下列何者?

  1. (1) -4 m V
  2. (2) +4 m V
  3. (3) +2 m V
  4. (4) -2 m V

官方答案

(4) -2 m V

解析

矽電晶體在固定集極電流下,基射極電壓 VBE 具有負溫度係數,溫度每升高 1°C 約下降 2mV(一般取 −2mV/°C,實際約 −2.2mV/°C),這是因為溫度升高使 I C 增大,在相同電流下所需 VBE 反而變小。因此變化量約為 −2mV,故選 4;+2mV 與 +4mV 的方向相反,−4mV 的數值過大。

AI 參考解析(推得答案已與官方答案比對一致),非官方公告內容,僅供備考參考。

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