民國102年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第22題
砷化鎵( G a A s ) 元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤?
題目
砷化鎵( G a A s ) 元件與相對應的矽元件相比較,下列敘述何者為錯誤?
- (1) 砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率( m o b i l i t y )
- (2) 砷化鎵元件有較高的g
- (3) 砷化鎵元件有較高的輸出電流
- (4) 砷化鎵元件有較高的操作速度
官方答案
(1) 砷化鎵元件有較高的電洞漂移移動率( m o b i l i t y )
解析
砷化鎵（GaAs）的電子移動率遠高於矽，因此操作速度高、適合高頻與高速元件；但它的電洞移動率反而比矽低，所以 GaAs 電路多以 N 通道元件為主，較難製作對稱的互補式結構。本題問的是「錯誤」的敘述，指砷化鎵有較高電洞漂移移動率即為錯誤，故選 1。
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