民國104年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第74題
對於D R A M 及S R A M 的敘述,下列哪些正確?
題目
對於D R A M 及S R A M 的敘述,下列哪些正確?
- (1) D R A M 需要更新( R e f r e s h ),S R A M 則否
- (2) D R A M 與S R A M 皆屬揮發性記憶體
- (3) D R A M 的位元密度低於S R A M
- (4) D R A M 使用量較 S R A M 大的原因是成本低
官方答案
(1) D R A M 需要更新( R e f r e s h ),S R A M 則否、(2) D R A M 與S R A M 皆屬揮發性記憶體、(4) D R A M 使用量較 S R A M 大的原因是成本低
解析
DRAM 以電容儲存電荷，電荷會漏電，必須週期性 Refresh 才能保住資料；SRAM 以正反器（約 6 顆電晶體）鎖存資料，只要持續供電就不需更新，因此選項1正確。兩者一旦斷電資料即消失，都屬於揮發性記憶體，選項2正確。DRAM 每個 bit 僅需 1 顆電晶體加 1 個電容，單位面積的位元密度高於 SRAM，選項3說「低於」是錯的。正因為位元密度高、每 bit 成本低，主記憶體才大量採用 DRAM，選項4正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。