民國106年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第39題
在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽電晶體的 變化約為下列何者?
題目
在一定電流下,溫度每升高1 °C時,矽電晶體的 變化約為下列何者?
- (1) -4 m V
- (2) -2 m V
- (3) +2 m V
- (4) +4 m V
官方答案
(2) -2 m V
解析
矽質雙極性電晶體在集極電流固定的條件下，基射極電壓 VBE 具有負溫度係數，約為 -2 mV/°C（實測約 -2.2 mV/°C）。原因是溫度升高使本質載子濃度增加、射極注入效率改變，同樣電流只需較小的順偏電壓即可維持。選項 1 的 -4 mV 數值過大，選項 3、4 為正值，方向錯誤；溫度升高時 VBE 是下降而非上升。此特性常用於設計溫度補償電路與帶隙參考電壓。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。