民國109年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第67題
於一純矽半導體,其本質濃度ni 為1.5 X 1010 原子/cm 3,密度為5 X 1022 原子/cm 3,若每108 個 矽原子加入一個硼原子,下列敘述哪…
題目
於一純矽半導體,其本質濃度ni 為1.5 X 1010 原子/cm 3,密度為5 X 1022 原子/cm 3,若每108 個 矽原子加入一個硼原子,下列敘述哪些正確?
- (1) 形成P 型半導體
- (2) 電洞濃度為5 X 1014(電洞/c m3)
- (3) 形成N 型半導體
- (4) 電子濃度為4.5 X 105(電子/cm 3)
官方答案
(1) 形成P 型半導體、(2) 電洞濃度為5 X 1014(電洞/c m3)、(4) 電子濃度為4.5 X 105(電子/cm 3)
解析
硼為三價受體雜質，加入純矽形成P型半導體(選1正確、選3錯誤)。受體濃度NA=矽密度/10⁸=5×10²²/10⁸=5×10¹⁴ cm⁻³，因NA≫ni，電洞濃度p≈NA=5×10¹⁴ cm⁻³(選2正確)。由質量作用定律np=ni²，電子濃度n=ni²/p=(1.5×10¹⁰)²/(5×10¹⁴)=2.25×10²⁰/5×10¹⁴=4.5×10⁵ cm⁻³(選4正確)。故正確為1、2、4。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。