民國112年 第3梯次 儀表電子甲級 學科
第69題
於一純矽半導體,其本質濃度ni 為1.5×1010 原子/cm3,密度為5×1022 原子/cm3,若每108 個矽原 子加入一個硼原子,下列敘述哪些正確?
題目
於一純矽半導體,其本質濃度ni 為1.5×1010 原子/cm3,密度為5×1022 原子/cm3,若每108 個矽原 子加入一個硼原子,下列敘述哪些正確?
- (1) 形成N 型半導體
- (2) 電子濃度為4.5×105(電子/cm3)
- (3) 形成P 型半導體
- (4) 電洞濃度為5×1014(電洞/cm3)
官方答案
(2) 電子濃度為4.5×105(電子/cm3)、(3) 形成P 型半導體、(4) 電洞濃度為5×1014(電洞/cm3)
解析
正確為2、3、4。硼為三價受體雜質，摻入後形成P型半導體（選項3對，選項1錯）。摻雜濃度NA=5×10²²/10⁸=5×10¹⁴原子/cm³，因NA≫ni，電洞濃度p≈NA=5×10¹⁴（選項4對）。依質量作用定律n·p=ni²，電子濃度n=ni²/p=(1.5×10¹⁰)²/(5×10¹⁴)=2.25×10²⁰/(5×10¹⁴)=4.5×10⁵（選項2對）。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。