民國102年 第3梯次 儀表電子乙級 學科
第42題
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列那一個條件非M O S F E T 所具有的優點?
題目
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列那一個條件非M O S F E T 所具有的優點?
- (1) 消耗功率低
- (2) 輸入阻抗高
- (3) 體積小
- (4) 電壓放大倍數高
官方答案
(4) 電壓放大倍數高
解析
相較 BJT，MOSFET 的優點包含：消耗功率低（互補式 CMOS 靜態電流近零）、輸入阻抗極高（閘極絕緣）、體積小且易於高密度整合。但 MOSFET 的互導（gm）較低，電壓放大倍數通常不如 BJT，BJT 的電流增益與跨導特性使其小訊號電壓增益較高。因此『電壓放大倍數高』並非 MOSFET 優點，反而是其相對弱點，故選 4。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。