民國104年 第2梯次 儀表電子乙級 學科
第33題
關於空乏型N 通道M O S F E T 的敘述,下列何者敘述錯誤?
題目
關於空乏型N 通道M O S F E T 的敘述,下列何者敘述錯誤?
- (1) 主要載體為電洞
- (2) 可當空乏型使用,亦可當增強型使用
- (3) 為負電壓
- (4) = 0 V 時,通道會導通
官方答案
(1) 主要載體為電洞
解析
空乏型N通道MOSFET的通道由N型半導體構成，主要載體是電子，不是電洞，故選項1敘述錯誤。此元件在 VGS = 0V 時通道已存在而導通；施加負電壓可使通道變窄，進入空乏模式，施加正電壓則可增強通道，進入增強模式，因此兼具兩種用法。以電洞為主要載體的是P通道元件。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。