民國105年 第1梯次 儀表電子乙級 學科
第54題
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列哪一個條件非M O S F E T 所具有的優點?
題目
在I C 的製程中M O S F E T 和B J T 電晶體比較,下列哪一個條件非M O S F E T 所具有的優點?
- (1) 消耗功率低
- (2) 輸入阻抗高
- (3) 體積小
- (4) 電壓放大倍數高
官方答案
(4) 電壓放大倍數高
解析
MOSFET 以閘極氧化層與通道絕緣，輸入阻抗極高（可達 10¹² Ω 以上），且因無直流閘極電流、導通時壓降小，消耗功率低，結構又適合高密度積體化而體積小。相對地，MOSFET 的跨導與早期效應使其電壓放大倍數通常低於 BJT，需多級串接才能獲得高增益，因此「電壓放大倍數高」並非其優點，而是 BJT 較占優勢之處。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。