民國105年 第3梯次 儀表電子乙級 學科

第68題

在D D R 3 S D R A M 的記憶體電路設計時,應注意下列哪些事項?

題目

在D D R 3 S D R A M 的記憶體電路設計時,應注意下列哪些事項?

  1. (1) 佈線長度不得與訊號波長成整數倍關係以避免諧振
  2. (2) 讓地線自成迴圈以便利接地
  3. (3) 插入地線於兩平行線間避免串音干擾
  4. (4) I C 電源接腳應佈置高頻濾波電容

官方答案

(1) 佈線長度不得與訊號波長成整數倍關係以避免諧振、(3) 插入地線於兩平行線間避免串音干擾、(4) I C 電源接腳應佈置高頻濾波電容

解析

DDR3 屬於高速數位電路,佈線長度若等於訊號波長整數倍,容易形成駐波與諧振,因此應避免;在兩條平行訊號線之間插入接地護線,可減少電場耦合造成的串音;IC 電源接腳旁配置高頻去耦電容,可提供瞬間電流並抑制電源雜訊。地線若自成迴圈,會形成接地迴路,容易感應雜訊並產生天線效應,高速電路應避免,故2錯誤。正確為1、3、4。

AI 參考解析(推得答案已與官方答案比對一致),非官方公告內容,僅供備考參考。

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