IC 內的電晶體製造時,何者的雜質濃度最高?

題目

(1) 射極

IC 內雙極性電晶體各區的雜質濃度依功能設計不同：射極需大量提供載子，摻雜濃度最高；基極居次，以兼顧射極注入效率與空乏區寬度；集極須承受較高電壓、空乏區較寬，摻雜濃度最低。因此雜質濃度由高至低為射極＞基極＞集極，濃度最高者為射極。

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