民國112年 第3梯次 儀表電子乙級 學科
第28題
對一個純矽半導體而言,下列敘述何者為真?
題目
對一個純矽半導體而言,下列敘述何者為真?
- (1) 摻雜砷,將形成P 型半導體
- (2) 摻雜硼,將形成 N 型半導體
- (3) n=p=ni 2
- (4) 溫度上升,n i 增加
官方答案
(4) 溫度上升,n i 增加
解析
純矽（本質半導體）中，電子濃度 n 等於電洞濃度 p，皆等於本質載子濃度 ni，即 n＝p＝ni；故選項3所述 n=p=ni 為本質半導體特性。摻雜五價砷（As）提供多餘電子，形成 N 型，選項1稱形成 P 型錯誤；摻雜三價硼（B）產生電洞，形成 P 型，選項2稱形成 N 型錯誤。本質載子濃度 ni 對溫度極敏感，隨溫度上升呈指數增加（ni∝T^(3/2)·e^(−Eg/2kT)），故選項4「溫度上升，ni 增加」為真，為本題正確答案。觀念重點：摻雜決定型別，溫度決定 ni 大小。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。