民國112年 第3梯次 儀表電子乙級 學科
第40題
關於空乏型N 通道MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤?
題目
關於空乏型N 通道MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤?
- (1) V TN 為負電壓
- (2) 可當空乏型使用, 亦可當增強型使用
- (3) 主要載體為電洞
- (4) V G S=0V 時,通道會導通
官方答案
(3) 主要載體為電洞
解析
空乏型 N 通道 MOSFET 在製程中已形成通道，臨界電壓 V_TN 為負值，故 V_GS＝0 V 時通道即導通，屬於常通元件；將 V_GS 加負電壓可使通道空乏（電流減小），加正電壓則可增強通道，因此同一元件可當空乏型也可當增強型使用。N 通道的主要載體是電子，電洞才是 P 通道的主要載體，故選項 3 敘述錯誤，其餘三項皆正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。