民國113年 第3梯次 儀表電子乙級 學科
第51題
關於空乏型N 通道MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤?
題目
關於空乏型N 通道MOSFET 的敘述,下列何者敘述錯誤?
- (1) V TN 為負電壓
- (2) VG S=0V 時,通道會導通
- (3) 可當空乏型使用,亦可當增強型使用
- (4) 主要載體為電洞
官方答案
(4) 主要載體為電洞
解析
本題問的是「錯誤」的敘述。N 通道空乏型 MOSFET 的導電載子為電子，主要載體並非電洞；電洞是 P 通道元件的主要載體，因此選項 4 有誤，為本題答案。其餘敘述皆正確：空乏型 N 通道元件的臨界電壓 VTN 為負值，代表 VGS = 0 V 時通道已預先形成而導通；若加上負的 VGS 使通道變窄，即為空乏型操作，若加正 VGS 使通道更寬，則可當增強型使用，因此具雙模式特性。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。