民國95年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第50題
關於F E T 之特性,下列敘述何者有誤?
題目
關於F E T 之特性,下列敘述何者有誤?
- (1) J F E T 常用於線性放大之前置級,有較佳之信號雜音比
- (2) M O S F E T 常見於數位I C 中,亦用於射頻放大器中
- (3) FET 為單載子元件,可用為壓控電阻器
- (4) 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低
官方答案
(4) 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低
解析
功率 MOSFET 導通時呈電阻性壓降，導通電阻 RDS(on) 會隨耐壓提高而快速增大，因此在高壓下導通損失較大；IGBT 具有電導調變效應，在大電壓、大電流条件下其飽和電壓 VCE(sat) 反而較低，所以「大功率 MOSFET 之飽和電壓較 IGBT 為低」的敘述有誤。其餘敘述皆正確：JFET 雜音低，常用於線性放大的前置級；MOSFET 廣泛用於數位 IC 與射頻放大；FET 為單載子元件，可作為壓控電阻器。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。