民國102年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第67題
關於F E T 之特性,下列敘述何者有誤?
題目
關於F E T 之特性,下列敘述何者有誤?
- (1) M O S F E T 常見於數位I C 中,亦用於射頻放大器中
- (2) F E T 為單載子元件,可用為壓控電阻器
- (3) J F E T 常用於線性放大之前置級,有較佳之信號雜音比
- (4) 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低
官方答案
(4) 大功率M O S F E T 之飽和電壓較I G B T 為低
解析
大功率 MOSFET 導通時呈電阻性壓降，耐壓越高，導通電阻與飽和電壓越大；IGBT 兼具 MOS 閘極與雙極性導通特性，在高壓大電流下飽和電壓反而較低，因此第4項敘述有誤，為本題答案。第1項 MOSFET 確實廣泛用於數位 IC 與射頻放大器；第2項 FET 為單載子元件，可作壓控電阻；第3項 JFET 雜音低，常用於線性放大前置級，均正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。