民國104年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第80題
有關金氧半場效應電晶體( M O S F E T ) ,下列敘述何者正確?
題目
有關金氧半場效應電晶體( M O S F E T ) ,下列敘述何者正確?
- (1) 增強型P 通道與空乏型N 通道特性完全相同
- (2) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
- (3) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
- (4) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
官方答案
(2) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大、(3) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續、(4) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
解析
MOSFET 閘極與通道（或基體）間以二氧化矽（SiO2）絕緣層隔開（選項4正確），故閘極—源極間直流電阻極高、閘極電流近乎零（選項2正確）。增強型在 V_GS=0 時無導通通道，需正偏壓才導通；空乏型在 V_GS=0 即已有通道，製程上需額外離子佈植（ion implantation）調整臨界電壓使其為負（N通道），故製造多了此手續（選項3正確）。選項1錯誤，P通道增強型與N通道空乏型之極性、臨界電壓與特性並不相同。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。