民國105年 第2梯次 電力電子甲級 學科
第62題
下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體( G a N F E T ) 的結構與特性?
題目
下列哪些選項符合氮化鎵場效電晶體( G a N F E T ) 的結構與特性?
- (1) 閘極儲存電荷低
- (2) 切換頻率可達10 M H z 以上
- (3) 與矽M O S F E T 相較,其閘極漏電流較小
- (4) 低導通電阻
官方答案
(1) 閘極儲存電荷低、(2) 切換頻率可達10 M H z 以上、(4) 低導通電阻
解析
GaN FET為寬能隙（約3.4 eV）元件，臨界電場高、電子遷移率佳，在相同耐壓下漂移區可做得極薄且摻雜高，因此導通電阻遠低於同級矽MOSFET。其閘極電容與閘極儲存電荷Qg小，驅動損耗低，切換速度極快，切換頻率可達10 MHz以上，有利於縮小磁性元件。惟GaN的閘極結構絕緣耐壓較薄，閘極漏電流通常比矽MOSFET大而非較小，故選項3不正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。