民國107年 第2梯次 電力電子甲級 學科
第70題
若Rθ,JC 表示MOSFET 的接面至外殼的熱阻(thermal resistance),Rθ,CS 為外殼至散熱片的熱阻,Rθ, S A 為散熱片的熱阻,T…
題目
若Rθ,JC 表示MOSFET 的接面至外殼的熱阻(thermal resistance),Rθ,CS 為外殼至散熱片的熱阻,Rθ, S A 為散熱片的熱阻,TA 為外部溫度,TJ 為接面溫度,TC 為元件外殼溫度,P 為熱功率(thermal powe r),則下列何者正確?
- (1) TJ=P(Rθ, JC+Rθ ,c s+Rθ, S A)+T A
- (2) TJ=P(Rθ, JC+R θ, cs)+T A
- (3) TJ=P(Rθ ,c s+Rθ,S A)+T A
- (4) TJ=PRθ,JC+TC
官方答案
(1) TJ=P(Rθ, JC+Rθ ,c s+Rθ, S A)+T A、(4) TJ=PRθ,JC+TC
解析
熱阻串聯模型如同電阻串聯：接面到外殼 Rθ,JC、外殼到散熱片 Rθ,CS、散熱片到環境 Rθ,SA 三者相加，熱功率 P 流經總熱阻造成溫升，故 TJ=P(Rθ,JC+Rθ,CS+Rθ,SA)+TA，選項1正確。選項2少了散熱片熱阻，只適用於外殼直接鎖在理想散熱面上的情形，不完整。選項3漏掉接面到外殼的熱阻，亦不成立。選項4由 TC=P(Rθ,CS+Rθ,SA)+TA 代入可得 TJ=P·Rθ,JC+TC，即接面溫度等於外殼溫度加上接面到外殼的溫升，正確。選項1與4可互相驗證。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。