民國107年 第3梯次 電力電子甲級 學科

第16題

下列何者之存取速度最快?

題目

下列何者之存取速度最快?

  1. (1) EEPROM
  2. (2) DRAM
  3. (3) EPROM
  4. (4) SRAM

官方答案

(4) SRAM

解析

本題考查記憶體存取速度之比較。SRAM(靜態隨機存取記憶體)利用電晶體正反器儲存資料,只要持續供電即能保持狀態,不需重新充電或刷新,故讀寫速度最快,常用於CPU快取記憶體。DRAM(動態隨機存取記憶體)以電容儲存電荷,電荷會漏電,必須週期性刷新(refresh),因此存取較慢。EPROM與EEPROM屬非揮發性記憶體,寫入時需施加較高電壓或利用穿隧效應,抹除與寫入時間遠長於讀取,速度最慢。四者速度由快至慢依序為SRAM>DRAM>EEPROM>EPROM。故本題正確答案為SRAM。

AI 參考解析(推得答案已與官方答案比對一致),非官方公告內容,僅供備考參考。

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