民國107年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第2題
與矽二極體(Silicon Diode)相較,對肖特基二極體(Schottky Diode)之敘述以下何者有誤?
題目
與矽二極體(Silicon Diode)相較,對肖特基二極體(Schottky Diode)之敘述以下何者有誤?
- (1) 反向回復(Reverse Recovery)時間較長
- (2) 較低反向崩潰電壓(Reverse Breakdown Voltage)
- (3) 較低之導通壓降 (On-state Voltage)
- (4) 切換(Switching)速度較快
官方答案
(1) 反向回復(Reverse Recovery)時間較長
解析
肖特基二極體以金屬-半導體接面製成，相較矽PN二極體具多項差異。其導通壓降僅約0.2~0.4V（矽二極體約0.7V），故選項3正確；因屬多數載子導通、無少數載子儲存效應，反向恢復時間極短且切換速度快，故選項4正確、選項1錯誤；缺點為反向崩潰電壓較低（通常數十伏），故選項2正確。題目問「有誤」者，即為反向回復時間「較長」之敘述，實際上肖特基反向恢復時間較矽二極體「短」。因此答案1。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。