民國108年 第1梯次 電力電子甲級 學科
第44題
下列敘述何者錯誤?
題目
下列敘述何者錯誤?
- (1) SRAM 存取速度較DRAM 快
- (2) RAM 為揮發性元件
- (3) ROM 為非揮發性元件
- (4) SRAM 存取速度較DRAM 慢
官方答案
(4) SRAM 存取速度較DRAM 慢
解析
SRAM 每個位元由正反器（6 個電晶體）構成，不需刷新，存取速度快，但面積大、成本高；DRAM 以電容儲存電荷，必須週期性刷新，速度較慢，因此「SRAM 較 DRAM 慢」的敘述錯誤。RAM 斷電後資料消失，屬揮發性元件；ROM 斷電仍保有資料，屬非揮發性元件。選項 1、2、3 皆正確，本題要選錯誤者，故答案為 4。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。