民國109年 第3梯次 電力電子甲級 學科

第4題

與矽二極體(Silicon Diode)相較,對肖特基二極體(Schottky Diode)之敘述以下何者有誤?

題目

與矽二極體(Silicon Diode)相較,對肖特基二極體(Schottky Diode)之敘述以下何者有誤?

  1. (1) 切換 (Switching)速度較快
  2. (2) 反向回復(Reverse Recovery)時間較長
  3. (3) 較低之導通壓降(On-state Voltage)
  4. (4) 較低反向崩潰電壓(Reverse Breakdown Voltage)

官方答案

(2) 反向回復(Reverse Recovery)時間較長

解析

肖特基二極體為金屬—半導體接面，無少數載子儲存效應，故切換速度快、反向回復時間trr短（遠小於矽PN二極體），導通壓降約0.3~0.5V較低，但反向崩潰電壓亦較低。選項2稱其反向回復時間「較長」與事實相反，故為錯誤敘述。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

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