民國110年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第80題
下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性?
題目
下列哪些選項符合碳化矽金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)特性?
- (1) 製程簡單,價格便宜
- (2) 耐高溫
- (3) 低切換損失
- (4) 切換速度快
官方答案
(2) 耐高溫、(3) 低切換損失、(4) 切換速度快
解析
SiC MOSFET為寬能隙（wide bandgap）半導體，具耐高溫（選項2正確）、低切換損失（選項3正確）、切換速度快（選項4正確）等優點，適合高頻高溫應用。選項1錯誤：碳化矽晶體生長與製程困難、晶圓成本高，並不便宜，「製程簡單、價格便宜」不正確。相較於Si MOSFET，SiC優勢在耐壓、耐熱與效率，而非低成本。
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