民國112年 第3梯次 電力電子甲級 學科

第26題

與矽二極體(Silicon Diode)相較,對肖特基二極體(Schottky Diode)之敘述以下何者有誤?

題目

與矽二極體(Silicon Diode)相較,對肖特基二極體(Schottky Diode)之敘述以下何者有誤?

  1. (1) 較低之導通壓降(On-state Voltage)
  2. (2) 切換(Switching)速度較快
  3. (3) 反向回復(Reverse Recovery)時間較長
  4. (4) 較低反向崩潰電壓(Reverse Breakdown Voltage)

官方答案

(3) 反向回復(Reverse Recovery)時間較長

解析

肖特基二極體是金屬與半導體接面，導通時沒有少數載子儲存效應，反向回復時間極短、幾乎可忽略，因此「反向回復時間較長」的敘述錯誤。它的順向壓降約0.3～0.5V，低於矽二極體的0.7V，切換速度快，適合高頻電路；缺點是反向崩潰電壓較低、逆向漏電流較大，所以選項1、2、4都是它的正確特性。

AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。

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