民國114年 第1梯次 電力電子甲級 學科
第72題
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET),下列敘述何者正確?
題目
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET),下列敘述何者正確?
- (1) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
- (2) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
- (3) 增強型P 通道與空乏型N 通道特性完全相同
- (4) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
官方答案
(1) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大、(2) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續、(4) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
解析
選項1正確：MOSFET閘極與通道間以二氧化矽（SiO2）絕緣，直流輸入電阻極高，近乎無限大。選項2正確：空乏型在製程中多一道離子佈植形成常態導通通道，比增強型多此工序。選項4正確：閘極與半導體通道之間確實隔著一層SiO2絕緣層。選項3錯誤：增強型P通道與空乏型N通道在導通極性、臨界電壓與特性上截然不同，不可能完全相同。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。