民國114年 第3梯次 電力電子甲級 學科
第80題
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET),下列敘述何者正確?
題目
有關金氧半場效應電晶體(MOSFET),下列敘述何者正確?
- (1) 增強型P 通道與空乏型N 通道特性完全相同
- (2) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續
- (3) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽
- (4) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
官方答案
(2) 與增強型比較空乏型在製造上多了離子佈層手續、(3) 閘極與通道間一般是隔一層二氧化矽、(4) 閘極與源極間的直流電阻接近無窮大
解析
MOSFET 的閘極與通道之間有一層極薄的二氧化矽作為絕緣層，形成電容式閘極，因此閘極與源極間的直流電阻接近無窮大。空乏型元件在製造時須額外以離子佈植形成內建通道，使 VGS=0 時即導通，故比增強型多一道離子佈植手續。增強型 P 通道與空乏型 N 通道的極性、臨界電壓與導通條件相反，特性不可能完全相同，選項 1 錯誤。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。