民國100年 乙級專案 電力電子乙級 學科
第70題
有關金氧半場效電晶體( M O S F E T ) 元件的敘述,下列何者有誤?
題目
有關金氧半場效電晶體( M O S F E T ) 元件的敘述,下列何者有誤?
- (1) M O S F E T 具有低雜音及熱穩定性良好的特點
- (2) 其絕緣層很厚,閘源極間( ) 耐壓很高
- (3) M O S F E T 較接面場效電晶體( J F E T ) 有更高的輸入電阻
- (4) M O S F E T 可分為空乏型及增強型兩種
官方答案
(2) 其絕緣層很厚,閘源極間( ) 耐壓很高
解析
MOSFET 閘極與通道間以二氧化矽（SiO2）絕緣層隔離，此氧化層厚度僅數十奈米，極為薄而非厚，因此閘源極間耐壓（閘氧化層崩潰電壓）其實有限、易被過電壓擊穿。選項 2 稱「絕緣層很厚、耐壓很高」與事實相反，故為錯誤敘述。其餘 1、3、4 均正確（低雜音、熱穩定、輸入電阻高於 JFET、分空乏與增強型），選 2。
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