民國99年 乙級專案 電力電子乙級 學科
第21題
M O S F E T 由於輸入阻抗高,受靜電打穿其絕緣層( S i O ) 之可能性比J F E T 來得
題目
M O S F E T 由於輸入阻抗高,受靜電打穿其絕緣層( S i O ) 之可能性比J F E T 來得
- (1) 大
- (2) 小
- (3) 相等
- (4) 不一定
官方答案
(1) 大
解析
MOSFET 的閘極與通道之間是極薄的二氧化矽絕緣層，輸入阻抗非常高，人體或工具帶來的靜電荷不易經由閘極洩放，容易在氧化層兩端形成高電場而造成絕緣崩潰。JFET 的閘極是 PN 接面，輸入阻抗較低且具有接面特性，靜電耐受性通常較佳。因此 MOSFET 被靜電打穿的機率比 JFET 大。
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