民國105年 第1梯次 電力電子乙級 學科
第79題
有關金氧半場效應電晶體( M O S F E T ) 特性敘述,下列何者正確?
題目
有關金氧半場效應電晶體( M O S F E T ) 特性敘述,下列何者正確?
- (1) N 通道空乏型之夾止電壓( V P ) 為負值
- (2) N 通道增強型之閘源極電壓( V G S ) 需大於臨界電壓( V T ) 才能導通電流
- (3) P 通道增強型之臨界電壓( V T ) 正值
- (4) 閘源極電壓( V G S ) 為零時,增強型比起空乏型結構上少了通道
官方答案
(1) N 通道空乏型之夾止電壓( V P ) 為負值、(2) N 通道增強型之閘源極電壓( V G S ) 需大於臨界電壓( V T ) 才能導通電流、(4) 閘源極電壓( V G S ) 為零時,增強型比起空乏型結構上少了通道
解析
N 通道空乏型在 V_GS＝0 時已有通道，需加負閘壓才能使通道消失，其夾止電壓 V_P 為負值，選項1正確。N 通道增強型必須 V_GS 大於臨界電壓 V_T 才會形成通道導通電流，選項2正確。P 通道增強型的臨界電壓為負值，選項3錯誤。V_GS＝0 時空乏型結構上已存在通道，增強型則無通道，選項4正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。