民國107年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第4題
IGBT 之交換時間(Switching Time)約為
題目
IGBT 之交換時間(Switching Time)約為
- (1) 10ns
- (2) 1ms
- (3) 2.0μs
- (4) 30μs
官方答案
(3) 2.0μs
解析
IGBT 由 MOSFET 與雙極性電晶體複合而成，閘極以電壓控制、導通時具低飽和壓降，但因少數載子注入，關斷時須排除儲存電荷，交換時間比純 MOSFET 長。一般功率 IGBT 的導通與關斷時間合計約在 1～2μs 量級，故選 2.0μs。10ns 屬於小信號 MOSFET 或高速邏輯的等級，對功率 IGBT 而言過快；1ms 已接近 SCR 等市電頻切換元件的等級；30μs 則明顯偏慢，會限制開關頻率在數十 kHz 以下。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。