民國108年 第3梯次 電力電子乙級 學科

第25題

有關雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET)兩種電晶體的比較,下列何者有誤?

題目

有關雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET)兩種電晶體的比較,下列何者有誤?

  1. (1) 在積體電路製作上,BJT 較FET 佔較大的空間
  2. (2) FET 作為放大器產生的雜訊較BJT 為低
  3. (3) BJT 和FET 都是電壓控制的電流源
  4. (4) BJT 是雙載子元件,而FET 是單載子元件

官方答案

(3) BJT 和FET 都是電壓控制的電流源

解析

BJT為電流控制之電流源(以基極電流控制集極電流),FET則為電壓控制之電流源(以閘極電壓控制汲極電流)。選項3稱兩者皆為電壓控制電流源,將BJT誤歸為電壓控制,故錯誤。其餘:積體電路中BJT確實佔較大面積;FET雜訊低於BJT;BJT為雙載子(電子與電洞)、FET為單載子元件,均正確。

AI 參考解析(推得答案已與官方答案比對一致),非官方公告內容,僅供備考參考。

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