民國108年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第80題
下列何者為絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)功率半導體元件之特性?
題目
下列何者為絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)功率半導體元件之特性?
- (1) 驅動電路類似BJT
- (2) 導通狀態類似MOSFET
- (3) 電壓控制其導通及截止
- (4) 高輸入阻抗
官方答案
(3) 電壓控制其導通及截止、(4) 高輸入阻抗
解析
IGBT的閘極結構與MOSFET相同，為電壓控制、高輸入阻抗，靠閘極電壓決定導通或截止，故第3、4項正確。其導通狀態因少數載子注入而產生導電調變，輸出特性類似BJT、導通壓降低，故第2項「導通狀態類似MOSFET」不正確；也因為是電壓驅動、輸入阻抗高，驅動電路反而類似MOSFET，而非BJT的電流驅動，故第1項亦不正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。