民國110年 第3梯次 電力電子乙級 學科
第45題
IGBT 之交換時間(Switching Time)約為
題目
IGBT 之交換時間(Switching Time)約為
- (1) 1ms
- (2) 30μs
- (3) 2.0μs
- (4) 10ns
官方答案
(3) 2.0μs
解析
IGBT 結合 MOSFET 與 BJT 特性，切換速度介於兩者間。相較 MOSFET 約數十至數百 ns、BJT/GTO 約數十 μs，IGBT 的交換時間（開通＋截止）一般約 0.1～數 μs 等級，典型值約 2 μs。10 ns 過快屬 MOSFET；30 μs 偏慢屬 GTO；1 ms 過慢不符功率半導體。故 2.0 μs 最符合 IGBT 特性。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。