民國96年 第3梯次 數位電子甲級 學科
第50題
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
題目
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
- (1) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ) ,這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
- (2) 閘極與基極、汲極或源極絕緣
- (3) 當V =0 時I =0
- (4) 輸入阻抗比接合型場效電晶體為高
官方答案
(1) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ) ,這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
解析
增強型 MOSFET 在 Vgs=0 時無導通溝道，故 Id=0（選項3正確）；其閘極以氧化物絕緣，與基體、汲極、源極均絕緣，輸入阻抗極高且高於接合型 JFET（選項2、4正確）。選項1錯誤：P通道元件應以 N型基底擴散 P型源汲極；若以 P型基底擴散則形成 N通道，故稱為 P通道的敘述不正確。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。