民國106年 第3梯次 數位電子甲級 學科
第55題
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
題目
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
- (1) 閘極與基極、汲極或源極絕緣
- (2) 當V G S =0 V 時I D =0
- (3) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ),這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
- (4) 輸入阻抗比接合型場效電晶體為高
官方答案
(3) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ),這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
解析
增強型MOSFET的閘極與基體之間有二氧化矽絕緣層，因此輸入阻抗極高，通常高於接合型JFET；當VGS＝0時，尚未形成感應通道，所以ID為零。P通道MOSFET應以N型基體，再擴散P+源極與汲極；若以P型基體擴散N+區，則形成N通道元件。選項3把基體與通道型別說反，因此是不正確的敘述。
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