民國107年 第1梯次 數位電子甲級 學科
第35題
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
題目
下列有關增強型金氧半場效電晶體的特性何者不正確?
- (1) 閘極與基體、汲極或源極絕緣
- (2) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ) ,這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
- (3) 當V G S =0 V 時I D =0
- (4) 輸入阻抗比接合型場效電晶體為高
官方答案
(2) 用P 型材料做基體,再擴散出兩個材料做汲( D ) 極及源極( S ) ,這種場效電晶體稱為P 通道場效電晶體
解析
增強型MOSFET的閘極以極薄氧化層與通道隔離，因此輸入阻抗極高，通常遠高於接合型FET（JFET）。此元件在VGS＝0時尚未形成通道，ID＝0，必須VGS超過臨界電壓才會導通，故第1、3、4項敘述正確。P通道元件的做法是以N型材料為基體，再擴散出兩個P型區作為汲極與源極；若以P型基體擴散兩個N型區，做出來的其實是N通道元件，所以第2項把通道型式說反了。
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