民國102年 第2梯次 數位電子乙級 學科
第12題
飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢,其主要原因為前者
題目
飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢,其主要原因為前者
- (1) 儲存時間較長
- (2) 延遲時間較長
- (3) 下降時間較長
- (4) 上昇時間較長
官方答案
(1) 儲存時間較長
解析
飽和型開關導通時，電晶體進入深飽和，基極區會儲存大量少數載子；要關斷時必須先移除這些儲存電荷，形成較長的儲存時間（storage time），使切換延遲、速度變慢，因此選 1。非飽和型開關會避免進入深飽和，儲存時間較短。延遲、上升與下降時間並非造成此差異的主要原因。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。