民國103年 第2梯次 數位電子乙級 學科
第43題
飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢,其主要原因為前者
題目
飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢,其主要原因為前者
- (1) 儲存時間較長
- (2) 下降時間較長
- (3) 延遲時間較長
- (4) 上昇時間較長
官方答案
(1) 儲存時間較長
解析
飽和型開關在導通時，基極注入大量載子使電晶體深入飽和區，基極與集極區域儲存過多少數載子；當輸入由高準位轉低準位欲關斷時，必須先移除這些儲存電荷，電晶體才開始反應，因此產生明顯的儲存時間（storage time），使整體切換速度變慢。非飽和型（如射極耦合邏輯）操作時避開深飽和，儲存電荷少、儲存時間短，故切換較快。下降時間、延遲時間與上升時間主要受電路電容與負載影響，並非飽和型開關變慢的主因。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。