民國104年 第2梯次 數位電子乙級 學科
第3題
飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢,其主要原因為前者
題目
飽和型電晶體開關電路比非飽和型開關電路速度慢,其主要原因為前者
- (1) 上昇時間較長
- (2) 儲存時間較長
- (3) 延遲時間較長
- (4) 下降時間較長
官方答案
(2) 儲存時間較長
解析
飽和型開關操作時電晶體進入飽和區，基極區儲存大量少數載子；當輸入由高變低要使電晶體截止時，必須先移除這些儲存電荷，因而產生明顯的儲存時間，使切換速度變慢。非飽和型開關（如電流切換邏輯）刻意避開飽和區，儲存時間極短，所以切換速度快。上升、下降與延遲時間並非主要原因。故選 2。
AI 參考解析（推得答案已與官方答案比對一致），非官方公告內容，僅供備考參考。